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NP110N04PUG-AY PDF预览

NP110N04PUG-AY

更新时间： 2024-01-15 10:33:58

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
4页	656K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,110A I(D),TO-263AB

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NP110N04PUG-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	288 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

NP110N04PUG-AY 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP110N04PUG-AZ	RENESAS	暂无描述	获取价格
NP110N04PUG-E1	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,110A I(D),TO-263AB	获取价格
NP110N04PUG-E1-AY	RENESAS	Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape	获取价格
NP110N04PUG-E2	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,110A I(D),TO-263AB	获取价格
NP110N04PUG-E2-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,110A I(D),TO-263AB	获取价格
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