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NM93C66LZM8

更新时间: 2024-10-01 20:13:11
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德州仪器 - TI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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12页 244K
描述
256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SOP-8

NM93C66LZM8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP8,.25
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.32其他特性:MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; ERAL AT 3.0V TO 6.0V; DATA RETENTION = 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK):0.25 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:4.9 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm串行总线类型:MICROWIRE
最大待机电流:0.000001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.001 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC):15 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

NM93C66LZM8 数据手册

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