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NM59C11MN

更新时间: 2024-02-12 03:41:07
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德州仪器 - TI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 228K
描述
128X8 4-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

NM59C11MN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.75其他特性:MICROWIRE BUS INTERFACE
备用内存宽度:16最大时钟频率 (fCLK):0.5 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:9.817 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:128 words字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm串行总线类型:4-WIRE
最大待机电流:0.0001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.004 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

NM59C11MN 数据手册

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