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NM24C08LN

更新时间: 2024-09-24 20:33:11
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德州仪器 - TI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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12页 351K
描述
1KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

NM24C08LN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.62其他特性:2 WIRE I2C INTERFACE; 16 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK):0.8 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010DMMR
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:9.817 mm内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX8
输出特性:OPEN-DRAIN封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.00001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mm最长写入周期时间 (tWC):15 ms
Base Number Matches:1

NM24C08LN 数据手册

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