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NM24C05M8 PDF预览

NM24C05M8

更新时间： 2024-09-30 20:13:11
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 205K
描述
IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SOP-8, Programmable ROM

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NM24C05M8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.46其他特性：16 BYTE PAGE WRITE; WRITE PROTECT; DATA RETENTION>40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：0.1 MHz数据保留时间-最小值：40
耐久性：100000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010DDMR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：4.9 mm内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：512 words字数代码：512
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512X8
输出特性：OPEN-DRAIN封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.00005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：3.9 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

NM24C05M8 数据手册

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January 1993  
NM24C03/C05/C09/C17  
2K-/4K-/8K-/16K-Bit Serial EEPROM  
2
with Write Protect (I C Synchronous 2-Wire Bus)  
General Description  
The NM24C03/C05/C09/C17 devices are 2048/4096/  
8192/16,834 bits, respectively, of CMOS non-volatile elec-  
trically erasable memory. These devices conform to all  
Features  
Y
Hardwire write protect for upper block  
Y
Low Power CMOS  
Ð 2 mA active current typical  
2
specifications in the I C 2-wire protocol, and are designed  
Ð 60 mA standby current typical  
2
2-wire I C serial interface  
Y
Y
Y
to minimize device pin count and simplify PC board layout  
requirements.  
Ð Provides bidirectional data transfer protocol  
Sixteen byte page write mode  
Ð Minimizes total write time per byte  
Self timed write cycle  
Ð Typical write cycle time of 5 ms  
The upper half of the memory can be disabled (Write Pro-  
tected) by connecting the WP pin to V . This section of  
CC  
memory then becomes unalterable unless WP is switched  
to V  
.
SS  
6
Endurance: 10 data changes  
Y
Y
Y
This communication protocol uses CLOCK (SCL) and DATA  
I/O (SDA) lines to synchronously clock data between the  
master (for example a microprocessor) and the slave EEP-  
ROM device(s). In addition, this bus structure allows for a  
maximum of 16K of EEPROM memory. This is supported by  
the NSC family in 2K, 4K, 8K and 16K devices, allowing the  
user to configure the memory as the application requires  
with any combination of EEPROMs (not to exceed 16K).  
Data retention greater than 40 years  
Packages available: 8 pin mini-DIP or 14 pin SO  
package  
National EEPROMs are designed and tested for applica-  
tions requiring high endurance, high reliability, and low pow-  
er consumption.  
Functional Diagram  
TL/D/11100–1  
C
1995 National Semiconductor Corporation  
TL/D/11100  
RRD-B30M65/Printed in U. S. A.  
1234567...12

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与NM24C05M8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NM24C05M8X TI

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 		IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SOP-8, Programmable ROM
NM24C05M8X FAIRCHILD

获取价格

 		EEPROM, 4KX1, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
NM24C05M8X ROCHESTER

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 		4KX1 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
NM24C05MM ETC

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 		I2C Serial EEPROM
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 		I2C Serial EEPROM
NM24C05MN ETC

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 		I2C Serial EEPROM
NM24C05MT8 FAIRCHILD

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 		512X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
NM24C05MT8X TI

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 		512X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
NM24C05N FAIRCHILD

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 		I2C Serial EEPROM

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