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NM24C05N

更新时间： 2024-09-30 20:11:27

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德州仪器 - TI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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16页	294K
描述
512X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

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NM24C05N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
其他特性：	16 BYTE PAGE WRITE; WRITE PROTECT; DATA RETENTION>40 YEARS	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DDMR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.817 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	512 words
字数代码：	512	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512X8	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.001 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

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