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NIF9N05CLT3

更新时间： 2024-09-24 03:46:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
PROTECTED POWER MOSFET

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NIF9N05CLT3 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.29其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：52 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NIF9N05CLT3 数据手册

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NIF9N05CL  
Protected Power MOSFET  
2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level,  
Clamped MOSFET w/ ESD Protection  
in a SOT−223 Package  
http://onsemi.com  
Benefits  
• High Energy Capability for Inductive Loads  
• Low Switching Noise Generation  
V
DSS  
R
TYP  
I MAX  
D
DS(ON)  
(Clamped)  
52 V  
107 mΩ  
2.6 A  
Features  
• Diode Clamp Between Gate and Source  
• ESD Protection − HBM 5000 V  
• Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp  
Drain  
(Pins 2, 4)  
• Scalable to Lower or Higher R  
• Internal Series Gate Resistance  
DS(on)  
M
PWR  
Overvoltage  
Protection  
Gate  
(Pin 1)  
R
G
Applications  
• Automotive and Industrial Markets:  
Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers  
ESD Protection  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Source  
(Pin 3)  
Rating  
Symbol Value Unit  
Drain−to−Source Voltage Internally Clamped  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
52−59  
V
V
A
DSS  
V
±15  
GS  
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
− Single Pulse (t = 10 ms) (Note 1)  
I
D
2.6  
10  
A
I
p
DM  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
1.69  
W
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
150  
°C  
stg  
MARKING DIAGRAM  
1
Single Pulse Drain−to−Source  
E
110  
mJ  
°C/W  
°C  
AS  
4
GATE  
DRAIN  
Avalanche Energy (V = 50 V, I  
= 1.17 A,  
DD  
D(pk)  
2
3
V
GS  
= 10 V, L = 160 mH, R = 25 W)  
G
DRAIN  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
R
74  
169  
SOURCE  
q
JA  
JA  
q
(Top View)  
F9N05 = Specific Device Code  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 s  
T
260  
L
A
WW  
= Assembly Location  
= Work Week  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
2
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, (Cu area 1.127 in )  
†
Device  
Package  
SOT−223  
SOT−223  
Shipping  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu area 0.412 in )  
NIF9N05CLT1  
NIF9N05CLT3  
1000/Tape & Reel  
4000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
July, 2004 − Rev. 3  
NIF9N05CL/D  
 
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NIF9N05CLT3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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