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NESG340033-T1B-YFB-A

更新时间： 2024-01-23 17:52:53

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	217K
描述
UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, MINMOLD PACKAGE-3

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NESG340033-T1B-YFB-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
基于收集器的最大容量：	1.15 pF	集电极-发射极最大电压：	5.5 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz
Base Number Matches：	1

NESG340033-T1B-YFB-A 数据手册

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PreliminaryData Sheet

NESG340033

NPN Silicon Germanium RF Transistor

R09DS0016EJ0100

Rev.1.00

Mar 29, 2011

DESCRIPTION

The NESG340033 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

FEATURES

•

NF = 0.65 dB TYP. @ V_CE= 3.3 V, I_C= 15 mA, f = 1 GHz

_{o (1 dB)}= 21 dBm TYP. @ V_CE= 3.3 V, I_{C (set)}= 40 mA, f = 1 GHz

OIP₃= 35.5 dBm TYP. @ V_CE= 3.3 V, I_{C (set)}= 50 mA, f = 1 GHz

Maximum stable power gain: MSG =13.0 dB TYP. @ V_CE= 3.3 V, I_C= 40 mA, f = 1 GHz

SiGe HBT technology (UHS3) : f_T= 10 GHz

This product is improvement of ESD

3-pin minimold (33 PKG)

APPLICATIONS

•

Suitable for up to 1GHz applications.

e.g. LNA (Low Noise Amplifier) or Power splitter for Digital-TV.

OUTLINE

RENESAS Package code: 33

(Package name: 3-pin minimold (33 PKG))

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Note: Marking is "R7E"

ORDERING INFORMATION

Part Number

Order Number

Package

Quantity

50 pcs

Supplying Form

NESG340033

NESG340033-A

3-pin minimold

(33 PKG)

(Pb-Free)

•

Embossed tape 8 mm wide

Pin 3 face the perforation side of the tape

Qty 3 kpcs/reel

(Non reel)

NESG340033-T1B NESG340033-T1B-A

3 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, please contact your nearby sales office.

Unit sample quantity is 50 pcs.

CAUTION

Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

R09DS0016EJ0100 Rev.1.00

Mar 29, 2011

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NESG340034	RENESAS	获取价格	NPN Silicon Germanium RF Transistor
NESG340034-A	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
NESG340034-A-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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NESG340034-T1-A	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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