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NAND01GW4A2BKGD

更新时间： 2024-02-13 06:39:45
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 604K
描述
64MX16 FLASH 3V PROM, 15000ns, UUC, WAFER

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NAND01GW4A2BKGD 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：WAFER
包装说明：DIE,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.68最长访问时间：15000 ns
JESD-30 代码：X-XUUC-N内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64MX16封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：UNCASED CHIP并行/串行：PARALLEL
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

NAND01GW4A2BKGD 数据手册

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NAND01GW3A2B-KGD  
NAND01GW4A2B-KGD  
Known Good Die, 1Gbit (x8/x16),  
528 Byte/264 Word Page, 3V, NAND Flash Memory  
Features  
■ High density NAND Flash memory  
– 1 Gbit memory array  
– 32 Mbit spare area  
– Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
– x8 or x16 bus width  
– Multiplexed Address/ Data  
– Pinout compatibility for all densities  
■ Supply voltage:  
– 3.0V device: V = 2.7 to 3.6V  
DD  
■ PAGE size  
Wafer  
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes  
– x16 device: (256 + 8 spare) Words  
■ Block size  
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes  
– x16 device: (8K + 256 spare) Words  
■ Serial Number option  
■ Hardware Data Protection  
■ Page Read / Program  
– Program/Erase locked during Power  
transitions  
– Random access: 15µs (3V) (max)  
– Sequential access: 50ns (min)  
– Page program time: 200µs (typ)  
■ Data Integrity  
– 100,000 Program/Erase cycles (with ECC)  
– 10 years Data Retention  
■ Copy Back Program mode  
– Fast page copy without external buffering  
■ Fast Block Erase  
– Block erase time: 2ms (Typ)  
■ Status Register  
■ Electronic Signature  
■ Chip Enable ‘Don’t Care’  
– Simple interface with microcontroller  
May 2007  
Rev 2  
1/48  
www.st.com  
1
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与NAND01GW4A2BKGD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND01GW4A2B-KGD NUMONYX

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 		Known Good Die, 1 Gbit (x 8/x 16), 528 Byte/264 word page, 3 V, NAND Flash memory
NAND01GW4A2BN1 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A2BN1E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A2BN1F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A2BN1T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A2BN6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A2BN6E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A2BN6F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A2BN6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A2BV1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash

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