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NAND01GW3B2AN6E PDF预览

NAND01GW3B2AN6E

更新时间： 2024-01-01 16:07:48
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 1272K
描述
128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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NAND01GW3B2AN6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.22最长访问时间：25000 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3/e6
长度：18.4 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1K
端子数量：48字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：2K words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN/TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND01GW3B2AN6E 数据手册

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NAND01G-B2B, NAND02G-B2C  
Package mechanical  
Figure 37. VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package outline  
D
D2  
D1  
FD1  
FE  
e
SE  
b
E
E2 E1  
ddd  
BALL "A1"  
FE1  
A
A2  
e
SD  
FD  
A1  
BGA-Z75  
1. Drawing is not to scale  
Table 28. VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data  
millimeters  
Min  
inches  
Min  
Symbol  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
A
A1  
A2  
b
1.05  
0.041  
0.25  
0.010  
0.70  
0.50  
9.10  
0.028  
0.020  
0.358  
0.45  
9.00  
4.00  
7.20  
0.40  
8.90  
0.018  
0.354  
0.157  
0.283  
0.016  
0.350  
D
D1  
D2  
ddd  
E
0.10  
0.004  
0.437  
11.00  
5.60  
8.80  
0.80  
2.50  
0.90  
2.70  
1.10  
0.40  
0.40  
10.90  
–
11.10  
0.433  
0.220  
0.346  
0.031  
0.098  
0.035  
0.106  
0.043  
0.016  
0.016  
0.429  
–
E1  
E2  
e
–
–
FD  
FD1  
FE  
FE1  
SD  
SE  
–
–
–
–
–
–
–
–
57/60  
1...54555657585960

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NAND01GW3B2AN6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NAND01GW3A2AN6E STMICROELECTRONICS

完全替代

 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW3B2BN6E STMICROELECTRONICS

类似代替

 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2AN6 STMICROELECTRONICS

类似代替

 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

与NAND01GW3B2AN6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND01GW3B2AN6F STMICROELECTRONICS

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 		128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
NAND01GW3B2AN6F NUMONYX

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 		Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
NAND01GW3B2AN6T STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
NAND01GW3B2AV1 NUMONYX

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 		Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW3B2AV1E NUMONYX

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 		Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-
NAND01GW3B2AV1F NUMONYX

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 		Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-
NAND01GW3B2AV1T NUMONYX

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 		Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW3B2AV6 NUMONYX

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 		128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW3B2AV6E NUMONYX

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 		128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC
NAND01GW3B2AV6T NUMONYX

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 		128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48

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