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NAND01GW3B2AN6E

更新时间： 2024-02-28 17:19:47

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	1272K
描述
128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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NAND01GW3B2AN6E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.22	最长访问时间：	25000 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e3/e6
长度：	18.4 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1K
端子数量：	48	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	2K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

NAND01GW3B2AN6E 数据手册

NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1-Gbit, 2-Gbit,

2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

Features

■ High density NAND flash memories

– Up to 2 Gbits of memory array

– Cost effective solutions for mass storage

applications

■ NAND interface

– x8 or x16 bus width

TSOP48 12 x 20 mm

– Multiplexed address/ data

– Pinout compatibility for all densities

FBGA

■ Supply voltage: 1.8 V/3.0 V

■ Page size

VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm

VFBGA63 9 x 11 x 1 mm

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

■ Serial number option

■ Block size

■ Data protection

– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64 K + 2 K spare) words

– Hardware block locking

– Hardware program/erase locked during

power transitions

■ Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 30 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

■ Data integrity

– 100 000 program/erase cycles per block

(with ECC)

■ Copy back program mode

■ Cache program and cache read modes

■ Fast block erase: 2 ms (typ)

■ Status register

– 10 years data retention

■ ECOPACK packages

■ Development tools

– Error correction code models

■ Electronic signature

– Bad blocks management and wear leveling

algorithms

■ Chip enable ‘don’t care’

– Hardware simulation models

Table 1.

Device summary

Reference

Part number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B, NAND01GW4B2B⁽¹⁾

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C⁽¹⁾

NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1. x16 organization only available for MCP products.

April 2008

Rev 5

1/60

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...60

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与NAND01GW3B2AN6E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NAND01GW3B2AN6F	STMICROELECTRONICS	128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48	获取价格
NAND01GW3B2AN6F	NUMONYX	Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48	获取价格
NAND01GW3B2AN6T	STMICROELECTRONICS	暂无描述	获取价格
NAND01GW3B2AV1	NUMONYX	Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48	获取价格
NAND01GW3B2AV1E	NUMONYX	Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-	获取价格
NAND01GW3B2AV1F	NUMONYX	Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-	获取价格

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