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N3101AN

更新时间: 2024-02-28 13:50:08
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国巨 - YAGEO 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
Standard SRAM, 16X4, 35ns, TTL, PDIP16

N3101AN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:16字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16X4输出特性:OPEN-COLLECTOR
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

N3101AN 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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