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N1263DZ52LOO

更新时间： 2024-02-27 10:36:05

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	84K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4880A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element, 101A325, 3 PIN

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N1263DZ52LOO 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	300 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4880 A
断态重复峰值电压：	5200 V	重复峰值反向电压：	5200 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR

N1263DZ52LOO 数据手册

Date : Dec-99

Rat Rep : 99T07

Issue 2

WESTCODE

Converter thyristor

Type N1263xx43xxx to N1263xx52xxx

Absolute maximum ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1).

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1).

Repetitive peak reverse voltage, (note 1).

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1).

4300-5200

4400-5300

MAXIMUM

LIMITS

RATINGS

UNITS

I_T(AV)

I_T(RMS)

I_T(d.c.)

I_TSM

I_TSM2

I²t

Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2).

Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 5).

Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3).

Nominal RMS on-state current, 25°C, (note 2).

D.C. on-state current, 25°C, (note 7).

2500

1750

1080

4880

4350

Peak non-repetitive surge tp=10ms, V_RM=0.6V_RRM, (note 4).

Peak non-repetitive surge tp=10ms, V_RM≤10V, (note 4).

I²t capacity for fusing tp=10ms, V_RM=0.6V_RRM, (note 4).

I²t capacity for fusing tp=10ms, V_RM≤10V, (note 4).

I²t capacity for fusing tp=3ms, V_RM≤0.6V_RRM, (note 4).

Critical rate of rise of on-state current (continuous), (note 6).

Critical rate of rise of on-state current (intermittent), (note 6).

Peak forward gate current.

37.8x10³

42.0x10³

7.1x10⁶

8.8x10⁶

5.1x10⁶

150

A²s

A/µs

I²t

di/dt

300

I_FGM

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

V_GD

Peak reverse gate voltage.

Mean forward gate power.

Peak forward gate power.

Non-trigger gate voltage, (Note 5).

0.25

T_HS

Operating temperature range.

-40 to +125

-40 to +150

°C

T_stg

Storage temperature range.

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per K is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Doubleside cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Singleside cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

5) Rated V_DRM.

6) V_D=67%V_DRM, I_T=5000A, I_FG=2A, t_r=500ns.

7) Doubleside cooled.

Types N1263xx43xxx to N1263xx52xxx Rating Report 99T07

page 1 of 8

December, 1999

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N1263JK160	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。器件电压范围在400V至
N1263JK180	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。器件电压范围在400V至
N1265LS120	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2431A I(T)RMS, 2133000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
N1265LS120-150	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2517A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element
N1265LS140	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2431A I(T)RMS, 2133000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1
N1265LS150	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2517A I(T)RMS, 2133000mA I(T), 1500V V(DRM), 1500V V(RRM), 1
N1265LS160	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2431 A, 1600 V, SCR
N1283CH36GOO	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
N1283CH36HOO	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
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