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N1265LS120

更新时间： 2024-01-30 09:41:09
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 321K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2431A I(T)RMS, 2133000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 101A336, 3 PIN

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N1265LS120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：101A336, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：300 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：1000 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X3
最大漏电流：60 mA通态非重复峰值电流：16000 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：2133000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：2431 A断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

N1265LS120 数据手册

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Date:- 20 Apr, 2005  
Data Sheet Issue:- 2  
WESTCODE  
An IXYS Company  
Phase Control Thyristor  
Types N1265LS120 to N1265LS160  
Old Type No.: N520SH12-15  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1200-1600  
1200-1600  
1200-1600  
1200-1700  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
1226  
A
A
835  
500  
A
IT(RMS)M Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
2431  
2082  
15  
A
IT(d.c.)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
A
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
16  
1.125×106  
1.280×106  
500  
I2t  
(di/dt)cr  
1000  
5
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
Mean forward gate power  
4
W
Peak forward gate power  
30  
W
Tj op  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, ITM=2000A, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
Data Sheet. Types N1265LS120 to N1265LS160 Issue 2  
Page 1 of 11  
April, 2005  
1234567...12

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与N1265LS120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1265LS120-150 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2517A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element
N1265LS140 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2431A I(T)RMS, 2133000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1
N1265LS150 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2517A I(T)RMS, 2133000mA I(T), 1500V V(DRM), 1500V V(RRM), 1
N1265LS160 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2431 A, 1600 V, SCR
N1283CH36GOO LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
N1283CH36HOO LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
N1283CH36JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier,
N1283CH36KOO LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
N1283CH37 LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
N1283CH37KOO LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,

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