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N04L63W2AB27I

更新时间： 2024-01-23 14:43:33

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K × 16 bit

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N04L63W2AB27I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.34 mm	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.8 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.016 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

N04L63W2A

Timing Waveform of Write Cycle (WE control)

Address

CE1

CE2

LB, UB

High-Z

Data Valid

Data In

WHZ

High-Z

Data Out

Timing Waveform of Write Cycle (CE1 Control)

Address

CE1

(for CE2 Control, use

inverted signal)

LB, UB

Data Valid

Data In

WHZ

High-Z

Data Out

Rev. 10 | Page 7 of 10 | www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N04L63W2AB27IT	ONSEMI	4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
N04L63W2AB7I	ONSEMI	4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
N04L63W2AB7IT	ONSEMI	4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
N04L63W2AT27I	ONSEMI	4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格
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N04L63W2AT7I	ONSEMI	4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25	获取价格