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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.25 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 1.8 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.016 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N02L83W2AT5IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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| N02M0818L1A | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
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| N02M0818L1AD | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
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| N02M0818L1AD-85I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
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| N02M0818L1AN | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
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| N02M0818L1AN-150I | NANOAMP | Standard SRAM, 256KX8, 150ns, CMOS, PDSO32 |
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