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N02L83W2AN5I

更新时间： 2024-01-15 23:29:49

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安森美 - ONSEMI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	170K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K × 8 bit

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N02L83W2AN5I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	STSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	11.8 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.25 mm
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	1.8 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.016 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm

N02L83W2AN5I 数据手册

N02L83W2A

Functional Block Diagram

Word

Address

Inputs

Address

Decode

Logic

A - A

Input/

Output

Mux

Page

16K Page

x 16 word

x 8 bit

Address

Inputs

Address

A - A

Decode

Logic

and

I/O - I/O

RAM Array

Buffers

CE1

CE2

Control

Logic

Functional Description

I/O₀- I/O₇

CE1

CE2

MODE

POWER

Standby¹

Write²

X²

High Z

Standby

Active

Data In

Data Out

High Z

Active

Read

Active

1. When the device is in standby mode, control inputs (WE and OE), address inputs and data input/outputs are internally isolated

from any external influence and disabled from exerting any influence externally.

2. When WE is invoked, the OE input is internally disabled and has no effect on the circuit.

Capacitance

Item

Symbol

C_IN

Test Condition

Min

Max

Unit

V_IN= 0V, f = 1 MHz, T_A= 25^oC

Input Capacitance

I/O Capacitance

C_I/O

1. These parameters are verified in device characterization and are not 100% tested

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