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N02L163WN1AT2-55I

更新时间： 2024-02-23 15:07:30

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NANOAMP		存储静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	264K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

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N02L163WN1AT2-55I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.8 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.016 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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NanoAmp Solutions, Inc.

Functional Block Diagram

N02L163WN1A

Word

Address

Inputs

Address

Decode

Logic

A0 - A3

Input/

Page

32K Page

x 16 word

x 16 bit

Address

Inputs

Output

I/O0 - I/O7

Mux

Address

Decode

Logic

A4 - A16

and

RAM Array

Buffers

I/O8 - I/O15

Control

Logic

Functional Description

MODE

POWER

I/O₀- I/O₁₅

Standby²

Active

Write³

X³

L¹

High Z

Data In

Data Out

High Z

Standby

Active

Read

Active

1. When UB and LB are in select mode (low), I/O₀- I/O₁₅are affected as shown. When LB only is in the select mode only I/O₀- I/O₇

are affected as shown. When UB is in the select mode only I/O₈- I/O₁₅are affected as shown.

2. When the device is in standby mode, control inputs (WE, OE, UB, and LB), address inputs and data input/outputs are internally

isolated from any external influence and disabled from exerting any influence externally.

3. When WE is invoked, the OE input is internally disabled and has no effect on the circuit.

Capacitance

Item

Symbol

C_IN

Test Condition

Min

Max

Unit

V_IN= 0V, f = 1 MHz, T_A= 25^oC

Input Capacitance

I/O Capacitance

C_I/O

1. These parameters are verified in device characterization and are not 100% tested

(DOC# 14-02-014 REV L ECN# 01-1000)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.

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