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N01L83W2AN25IT

更新时间： 2024-02-18 14:03:02

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安森美 - ONSEMI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	194K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K × 8 bit

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N01L83W2AN25IT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	11.8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.56,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.25 mm
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	1.8 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.014 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

N01L83W2AN25IT 数据手册

N01L83W2A

Timing Test Conditions

Item

0.1V_CCto 0.9 V_CC

Input Pulse Level

Input Rise and Fall Time

Input and Output Timing Reference Levels

Output Load

5ns

0.5 V_CC

CL = 30pF

-40 to +85 ^oC

Operating Temperature

Timing

2.3 - 3.6 V

2.7 - 3.6 V

Item

Symbol

Units

Min.

Max.

Min.

Max.

t_RC

t_AA

Read Cycle Time

Address Access Time

t_CO

t_OE

t_LZ

Chip Enable to Valid Output

Output Enable to Valid Output

Chip Enable to Low-Z output

Output Enable to Low-Z Output

Chip Disable to High-Z Output

Output Disable to High-Z Output

Output Hold from Address Change

Write Cycle Time

t_OLZ

t_HZ

t_OHZ

t_OH

t_WC

t_CW

t_AW

t_WP

t_AS

32.5

Chip Enable to End of Write

Address Valid to End of Write

Write Pulse Width

Address Setup Time

t_WR

t_WHZ

t_DW

t_DH

t_OW

Write Recovery Time

Write to High-Z Output

Data to Write Time Overlap

Data Hold from Write Time

End Write to Low-Z Output

Rev. 10 | Page 5 of 10 | www.onsemi.com

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