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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.78 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.25 mm |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 1.8 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.014 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N01L83W2AN5I | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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| N01L83W2AN5IT | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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| N01L83W2AT25I | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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| N01L83W2AT25IT | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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| N01L83W2AT5I | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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| N01L83W2AT5IT | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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