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N01L163WN1AB2-70I

更新时间： 2024-02-02 12:44:11
品牌 Logo 应用领域
NANOAMP 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 269K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48

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N01L163WN1AB2-70I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：6 X 8 MM, GREEN, BGA-48Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.78最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.34 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：6 mm
Base Number Matches：1

N01L163WN1AB2-70I 数据手册

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NanoAmp Solutions, Inc.  
Functional Block Diagram  
N01L163WN1A  
Word  
Address  
Inputs  
Address  
Decode  
Logic  
A0 - A3  
Input/  
Page  
4K Page  
x 16 word  
x 16 bit  
Address  
Inputs  
Output  
Address  
Decode  
Logic  
I/O0 - I/O7  
Mux  
A4 - A15  
and  
RAM Array  
Buffers  
I/O8 - I/O15  
CE  
WE  
OE  
UB  
LB  
Control  
Logic  
Functional Description  
1
CE  
WE  
OE  
UB  
LB  
MODE  
POWER  
I/O0 - I/O15  
Standby2  
Active  
Write3  
Read  
Active  
H
L
L
L
L
X
X
L
X
X
X3  
X
H
L1  
L1  
L1  
X
H
L1  
L1  
L1  
High Z  
High Z  
Data In  
Data Out  
High Z  
Standby  
Active  
Active  
Active  
Active  
H
H
L
H
1. When UB and LB are in select mode (low), I/O0 - I/O15 are affected as shown. When LB only is in the select mode only I/O0 - I/O7  
are affected as shown. When UB is in the select mode only I/O8 - I/O15 are affected as shown.  
2. When the device is in standby mode, control inputs (WE, OE, UB, and LB), address inputs and data input/outputs are internally  
isolated from any external influence and disabled from exerting any influence externally.  
3. When WE is invoked, the OE input is internally disabled and has no effect on the circuit.  
1
Capacitance  
Item  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
Min  
Max  
8
Unit  
pF  
VIN = 0V, f = 1 MHz, TA = 25oC  
VIN = 0V, f = 1 MHz, TA = 25oC  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
CI/O  
8
pF  
1. These parameters are verified in device characterization and are not 100% tested  
(DOC# 14-02-011 REV G ECN# 01-1272)  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
2
1234567...10

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