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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | FBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 1.8 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.014 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N01L163WN1AB2-55I | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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| N01L163WN1AB2-70I | NANOAMP | Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 |
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| N01L163WN1AB-55I | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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| N01L163WN1AT2-55I | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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| N01L163WN1AT2-70I | NANOAMP | Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
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| N01L163WN1AT-55I | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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