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N01L1618N1AT-70I

更新时间： 2024-02-15 16:15:32

品牌	Logo	应用领域
NANOAMP		静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	223K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

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N01L1618N1AT-70I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP2-44	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.25 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm

NanoAmp Solutions, Inc.

Power Savings with Page Mode Operation (WE = V )

N01L1618N1A

Page Address (A4 - A15 )

Word Address (A0 - A3)

Open page

...

Word 16

Word 1

Word 2

LB, UB

Note: Page mode operation is a method of addressing the SRAM to save operating current. The internal

organization of the SRAM is optimized to allow this unique operating mode to be used as a valuable power

saving feature.

The only thing that needs to be done is to address the SRAM in a manner that the internal page is left open

and 16-bit words of data are read from the open page. By treating addresses A0-A3 as the least significant

bits and addressing the 16 words within the open page, power is reduced to the page mode value which is

considerably lower than standard operating currents for low power SRAMs.

(DOC# 14-02-009 REV F ECN# 01-0995)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N01L1618N1AT-85I	ONSEMI	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	获取价格
N01L163WC2A	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L163WC2AB	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L163WC2AB1	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L163WC2AB1-55I	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L163WC2AB2-55I	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12	获取价格