是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | TSOP2-44 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LSSOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.25 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2.2 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10.16 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N01L1618N1AT-85I | ONSEMI | Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
获取价格 |
|
N01L163WC2A | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
获取价格 |
|
N01L163WC2AB | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
获取价格 |
|
N01L163WC2AB1 | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
获取价格 |
|
N01L163WC2AB1-55I | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
获取价格 |
|
N01L163WC2AB2-55I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
获取价格 |