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N01L083WC2AT2-70I

更新时间： 2024-02-03 01:12:28

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	162K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, GREEN, TSOP1-32

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N01L083WC2AT2-70I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.8 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.014 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

N01L083WC2AT2-70I 数据手册

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AMI Semiconductor, Inc.

Timing Test Conditions

N01L083WC2A

Item

0.1V_CCto 0.9 V_CC

Input Pulse Level

Input Rise and Fall Time

Input and Output Timing Reference Levels

Output Load

5ns

0.5 V_CC

CL = 30pF

-40 to +85 ^oC

Operating Temperature

Timing

2.3 - 3.6 V

2.7 - 3.6 V

Item

Symbol

Units

Min.

Max.

Min.

Max.

t_RC

t_AA

Read Cycle Time

Address Access Time

t_CO

t_OE

t_LZ

Chip Enable to Valid Output

Output Enable to Valid Output

Chip Enable to Low-Z output

Output Enable to Low-Z Output

Chip Disable to High-Z Output

Output Disable to High-Z Output

Output Hold from Address Change

Write Cycle Time

t_OLZ

t_HZ

t_OHZ

t_OH

t_WC

t_CW

t_AW

t_WP

t_AS

32.5

Chip Enable to End of Write

Address Valid to End of Write

Write Pulse Width

Address Setup Time

t_WR

t_WHZ

t_DW

t_DH

t_OW

Write Recovery Time

Write to High-Z Output

Data to Write Time Overlap

Data Hold from Write Time

End Write to Low-Z Output

(DOC# 14-02-008 REV I ECN# 01-1283)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.amis.com.

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