Datasheet > 存储 > OTP ROM> MX27C2048TC-15

MX27C2048TC-15

更新时间： 2024-02-11 05:01:10

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2M-BIT [256Kx8/128x16] CMOS EPROM

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MX27C2048TC-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP40,.56,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.91	最长访问时间：	150 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	12.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	40	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP40,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

MX27C2048TC-15 数据手册

MX27C2100/27C2048

BYTE-WIDE MODE

The location of the capacitor should be close to where

the power supply is connected to the array.

With BYTE/VPP at GND ±0.2V, outputs Q8-15 are tri-

stated. IfQ15/A-1=VIH, outputsQ0-7presentdatabits

Q8-15. If Q15/A-1 = VIL, outputs Q0-7 present data bits

Q0-7.

STANDBY MODE

The MX27C2100/2048 has a CMOS standby mode

which reduces the maximum VCC current to 100 uA. It

is placed in CMOS standby when CE is at VCC ±0.3 V.

The MX27C2100/2048 also has a TTL-standby mode

which reduces the maximum VCC current to 1.5 mA. It

is placed in TTL-standby when CE is at VIH. When in

standby mode, the outputs are in a high-impedance

state, independent of the OE input.

TWO-LINE OUTPUT CONTROL FUNCTION

To accommodate multiple memory connections, a two-

line control function is provided to allow for:

1. Low memory power dissipation,

2. Assurance that output bus contention will not

occur.

It is recommended that CE be decoded and used as the

primary device-selecting function, while OE be made a

common connection to all devices in the array and

connectedtotheREADlinefromthesystemcontrolbus.

This assures that all deselected memory devices are in

their low-power standby mode and that the output pins

are only active when data is desired from a particular

memory device.

SYSTEM CONSIDERATIONS

During the switch between active and standby

conditions, transient current peaks are produced on the

rising and falling edges of Chip Enable. The magnitude

of these transient current peaks is dependent on the

outputcapacitanceloadingofthedevice. Ataminimum,

a0.1uFceramiccapacitor(highfrequency,lowinherent

inductance) should be used on each device between

Vcc and GND to minimize transient effects. In addition,

to overcome the voltage drop caused by the inductive

effects of the printed circuit board traces on EPROM

arrays, a 4.7 uF bulk electrolytic capacitor should be

used between VCC and GND for each eight devices.

P/N: PM0158

REV. 4.3, AUG. 22, 2001

1 2 345 6 7...18

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