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MX25L802MC-50G

更新时间： 2024-02-27 19:41:10

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8M-BIT [8M x 1] CMOS SERIAL FLASH EEPROM

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MX25L802MC-50G 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	18.11 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.84 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms	Base Number Matches：	1

MX25L802MC-50G 数据手册

MX25L802

8M-BIT[8Mx1]CMOSSERIALFLASHEEPROM

FEATURES

GENERAL

SOFTWAREFEATURES

• 8,388,608 x 1 bit structure

• Input Data Format

• 128 Equal Sectors with 8K-byte each

- Any sector can be erased

- 1-byte Command code, 3-byte address, 1-byte byte

address

• 2048 Equal Segments with 512-byte each

- Provides sequential output within any segment

• Single Power Supply Operation

• 512-byte Sequential Read Operation

• Built in 9-bit (A0 to A8) pre-settable address counter

to support the 512-byte sequential read operation

• Auto Erase and Auto Program Algorithm

- Automatically erases and verifies data at selected

sector

- 3.0 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 100mA from -1V to Vcc +1V

• Low Vcc write inhibit is equal to or less than 2.5V

- Automatically programs and verifies data at selected

page by an internal algroithm that automatically times

the program pulse widths (Any page to be programed

should have page in the erased state first)

• Status Register Feature

PERFORMANCE

• HighPerformance

- Fast access time: 20MHz serial clock (50pF + 1TTL

Load)

- Fast program time: 5ms/page (typical, 128-byte per

page)

- Provides detection of program and erase operation

completion.

- Fast erase time: 300ms/sector (typical, 8K-byte per

sector)

- Provides auto erase/ program error report

• LowPowerConsumption

HARDWAREFEATURES

• SCLK Input

- Low active read current: 10mA (typical) at 17MHz

- Low active programming current: 10mA (typical)

- Low active erase current: 10mA (typical)

- Low standby current: 30uA (typical, CMOS)

• Minimum 100,000 erase/program cycle

- Serial clock input

• SI Input

- Serial Data Input

• SO Output

- Serial Data Output

• PACKAGE

- 28-pin SOP (330mil)

P/N:PM0837

REV. 1.1, APR. 13, 2005

12 3 4 5 6 7...24

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