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MX25R6435FZNIL0

更新时间: 2024-02-28 03:30:48
品牌 Logo 应用领域
旺宏电子 - Macronix 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
86页 1449K
描述
Flash, 16MX4, PDSO8, WSON-8

MX25R6435FZNIL0 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:HVSON,Reach Compliance Code:unknown
Factory Lead Time:16 weeks风险等级:5.75
其他特性:ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 64M X 1 BIT备用内存宽度:2
最大时钟频率 (fCLK):33 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-N8
JESD-609代码:e3长度:6 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:4湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:8
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HVSON
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:3 V座面最大高度:0.8 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):1.65 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:5 mm
Base Number Matches:1

MX25R6435FZNIL0 数据手册

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MX25R6435F  
MX25R6435F  
ULTRA LOW POWER, 64M-BIT [x 1/x 2/x 4]  
CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O)  
FLASH MEMORY  
Key Features  
• Ultra Low Power Mode and High Performance Mode  
• Wide Range VCC 1.65V-3.6V for Read, Erase and Program Operations  
• Unique ID and Secure OTP Support  
• Multi I/O Support - Single I/O, Dual I/O and Quad I/O  
• Program Suspend/Resume & Erase Suspend/Resume  
P/N: PM2138  
Rev. 1.4, March 22, 2017  
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