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MUR2020DT

更新时间： 2024-01-23 03:30:37
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THINKISEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 653K
描述
20 Ampere Heatsink Doubler Polarity Fast Recovery Half Bridge Rectifiers

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MUR2020DT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MUR2020DT 数据手册

 浏览型号MUR2020DT的Datasheet PDF文件第2页 
MUR2020DT thru MUR2060DT  
®
MUR2020DT/MUR2040DT/MUR2060DT  
Pb Free Plating Product  
20 Ampere Heatsink Doubler Polarity Fast Recovery Half Bridge Rectifiers  
TO-220AB  
Unit : inch (mm)  
Features  
.419(10.66)  
.196(5.00)  
.387(9.85)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Latest GPP technology with super fast recovery time  
.163(4.16)  
.139(3.55)  
MIN  
.054(1.39)  
.045(1.15)  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Low reverse leakage current  
High surge current capability  
Application  
Automotive Inverters and Solar Inverters  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Plating Power Supply,SMPS,Motor Control and UPS  
Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems  
.038(0.96)  
.019(0.50)  
.025(0.65)MAX  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: Heatsink TO-220AB  
.1(2.54)  
.1(2.54)  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202  
method 208  
Polarity: As marked on diode body  
Mounting position: Any  
Case  
Case  
Case  
Case  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Doubler  
Negative  
Series  
Tandem Polarity Tandem Polarity  
Suffix "ST" Suffix "DT"  
Positive  
Common Cathode Common Anode  
Suffix "CT" Suffix "AT"  
Weight: 2.2 gram approximately  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25o  
C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
UNIT  
SYMBOL  
MUR2020DT MUR2040DT MUR2060DT  
V
V
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current TC=125oC  
20.0  
A
A
V
IF(AV)  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
200  
175  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@ 10.0 A  
VF  
IR  
0.98  
1.3  
1.7  
Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC  
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC  
uA  
uA  
nS  
5.0  
100  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical junction Capacitance (Note 2)  
Trr  
CJ  
35  
pF  
oC  
120  
70  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
-55 to +150  
T
J
, TSTG  
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions I  
F
= 0.5A, I  
R
= 1.0A, Irr = 0.25A.  
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.  
Rev.05  
© 2006 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com/  
12

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