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MUR2020FCT

更新时间： 2024-02-24 01:35:48
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 153K
描述
Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes

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MUR2020FCT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.36其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：20 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MUR2020FCT 数据手册

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RoHS  
MUR2010FCT THRU MUR2060FCT  
COMPLIANT  
Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes  
Features  
● High frequency operation  
● High surge forward current capability  
● High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability  
● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106  
Typical Applications  
Typical applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
Mechanical Data  
●
ackage: ITO-220AB  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-  
002 and JESD22-B102  
● Polarity: As marked  
(T =25℃Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
MUR2010FCT MUR2015FCT MUR2020FCT MUR2040FCT MUR2060FCT  
SYMBOL UNIT  
PARAMETER  
MUR2010FCT MUR2015FCT MUR2020FCT MUR2040FCT MUR2060FCT  
Device Marking Code  
V
I
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
A
100  
150  
200  
400  
600  
RRM  
Average Rectified Output Current @60Hz half  
sine-wave, R-load, Tc(FIG.1)  
I
o
20  
Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz  
half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃  
A
FSM  
I2t  
125  
A2s  
Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃  
65  
Storage Temperature  
T
stg  
-55 ~ +150  
℃
℃
Junction Temperature  
T
j
-55 ~ +150  
（T =25℃Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
TEST  
CONDITIONS  
MUR2010FCT MUR2015FCT MUR2020FCT MUR2040FCT MUR2060FCT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per diode  
V
I
V
I
=10.0A  
FM  
FM  
0.975  
1.3  
1.5  
V
=V  
RM RRM  
10  
RRM1  
RRM2  
Trr  
T =25℃  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per diode  
a
uA  
ns  
V
=V  
RM RRM  
I
500  
T =125℃  
a
IF=0.5A IRM=1A  
RR=0.25A  
Reverse Recovery Time  
25  
50  
I
Thermal Characteristics （T =25℃Unless otherwise specified）  
■
a
MUR2010FCT MUR2015FCT MUR2020FCT MUR2040FCT MUR2060FCT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Thermal  
Resistance  
Between junction  
and case  
RθJ-C  
2.5  
℃/W  
1 / 4  
S-B077  
Rev.2.0, 21-Oct-14  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
1234

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