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MUBW35-12A8

更新时间： 2024-01-09 12:34:41

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IXYS		转换器
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4页	114K
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Converter - Brake - Inverter Module

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MUBW35-12A8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X24	JESD-609代码：	e3
元件数量：	7	端子数量：	24
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	170 ns
VCEsat-Max：	3.1 V

MUBW35-12A8 数据手册

Advanced Technical Information

MUBW 35-12 A8

Converter - Brake - Inverter Module (CBI3)

D11 D13

D15

D14

D16

D12

NTC

Three Phase

Rectifier

Brake Chopper Three Phase

Inverter

V_RRM= 1600 V V_CES= 1200 V V_CES= 1200 V

I_FAVM= 42 A

I_FSM= 300 A

I_C25= 35 A

V_CE(sat)= 2.3 V

I_C25= 50 A

V_CE(sat)= 2.5 V

Application: AC motor drives with

Input Rectifier D11 - D16

●

Input from single or three phase grid

Three phase synchronous or

Symbol

V_RRM

Conditions

Maximum Ratings

●

asynchronous motor

electric braking operation

1600

●

I_FAV

I_DAVM

I_FSM

T_C= 80°C; sine 180°

T_C= 80°C; rectangular; d = 1/3; bridge

T_VJ= 25°C; t = 10 ms; sine 50 Hz

300

Features

●

High level of integration - only one power

semiconductor module required for the

whole drive

NPT IGBT technology with low

P_tot

T_C= 25°C

100

●

saturation voltage, low switching

losses, high RBSOA and short circuit

ruggedness

Epitaxial free wheeling diodes with

Hiperfast and soft reverse recovery

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

●

Industry standard package with insulated

copper base plate and soldering pins for

PCB mounting

Temperature sense included

V_F

I_F= 35 A; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.2

1.4

●

I_R

V_R= V_RRM; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.02 mA

0.4

R_thJC

(per diode)

1.3 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

Revision A 07.03.2001

1 - 4

12 3 4

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