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MUBW8-06A6

更新时间: 2024-09-23 19:52:15
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IXYS
页数 文件大小 规格书
1页 31K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

MUBW8-06A6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:TransferredReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73其他特性:3 PHASE DIODE RECTIFIER, BRAKE AND INVERTER AVAILABLE IN A MODULE
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-PUFM-P25
JESD-609代码:e3元件数量:7
端子数量:25封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:PURE TIN端子形式:PIN/PEG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MUBW8-06A6 数据手册

  

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