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MUBW20-06A6

更新时间: 2024-01-15 13:17:43
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力特 - LITTELFUSE 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

MUBW20-06A6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.65Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X25
元件数量:7端子数量:25
最高工作温度:125 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):85 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:Pure Tin (Sn)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):165 ns标称接通时间 (ton):30 ns
VCEsat-Max:2.4 VBase Number Matches:1

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