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MU9C5480L-12DI

更新时间: 2024-02-14 11:19:55
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28页 1607K
描述
Content Addressable Memory

MU9C5480L-12DI 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:QCCJ, LDCC44,.7SQ
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
其他特性:BIT MASKING; LANCAMJESD-30 代码:S-PQCC-J44
JESD-609代码:e0内存密度:32768 bit
内存集成电路类型:CONTENT ADDRESSABLE SRAM内存宽度:64
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:44字数:512 words
字数代码:512工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512X64封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC44,.7SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.002 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MU9C5480L-12DI 数据手册

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