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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP15N05E16 | MOTOROLA |
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15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05EA | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP15N05EA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP15N05EAF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP15N05EAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05EC | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05ED1 | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05EL | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTP15N05EN | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05ES | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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