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MTP12P06

更新时间: 2024-09-27 22:29:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 174K
描述
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

MTP12P06 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.91
其他特性:LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):200 pF
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):200 ns
Base Number Matches:1

MTP12P06 数据手册

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