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MTP12P10 PDF预览

MTP12P10

更新时间： 2024-09-27 22:29:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
6页 194K
描述
TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM

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MTP12P10 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.16
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：200 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：75 W最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：200 nsBase Number Matches：1

MTP12P10 数据手册

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by MTP12P10/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate  
This TMOS Power FET is designed for medium voltage, high  
speed power switching applications such as switching regulators,  
converters, solenoid and relay drivers.  
TMOS POWER FET  
12 AMPERES  
100 VOLTS  
•
Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times  
R
= 0.3 OHM  
DS(on)  
Specified at 100°C  
•
Designer’s Data — I  
at Elevated Temperature  
, V and SOA Specified  
, V  
DSS DS(on) GS(th)  
•
•
Rugged — SOA is Power Dissipation Limited  
Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads  
D
G
S
CASE 221A–06, Style 5  
TO–220AB  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
Gate–Source Voltage — Continuous  
V
DGR  
100  
GS  
V
±20  
±40  
Vdc  
Vpk  
GS  
Gate–Source Voltage — Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
V
GSM  
p
Drain Current — Continuous  
Drain Current — Pulsed  
I
12  
28  
Adc  
D
I
DM  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
D
75  
0.6  
Watts  
W/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
–65 to 150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction to Case  
Thermal Resistance — Junction to Ambient°  
R
R
1.67  
62.5  
°C/W  
°C  
θJC  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
Designer’s is a trademark of Motorola, Inc.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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MTP12P10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTP12P10 ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P−Channel TO−220
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功能相似

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与MTP12P10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTP12P1016 MOTOROLA

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 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
MTP12P10A MOTOROLA

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 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
MTP12P10A16A MOTOROLA

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 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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 		12A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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MTP12P10G ONSEMI

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 		Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P−Channel TO−220
MTP12P10L MOTOROLA

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 		12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP12P10N MOTOROLA

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 		12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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