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MTN4N65CJ3

更新时间： 2022-02-26 14:03:32

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
页数	文件大小	规格书
11页	481K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTN4N65CJ3 数据手册

Spec. No. : C080J3

Issued Date : 2016.06.27

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 4/11

Typical Characteristics

Brekdown Voltage vs Ambient Temperature

Typical Output Characteristics

1.2

1.1

10V,9V,8V,7V,6V

0.9

0.8

0.7

0.6

V_GS=5V

I_D=250μA,

V_GS=4.5V

V_GS=4V

V_GS=0V

-75 -50 -25

50 75 100 125 150 175

10 15

20 25 30

35 40

45 50

V_DSDrain-Source Voltage(V)

T_AAmbient Temperature(°C)

Drain Current vs Gate-Source Voltage

Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current

T_C=25°C

V_GS=10V

V_DS=30V

V_DS=10V

0.001

0.01

0.1

I^DDrain Current(A)

V^GSGate-Source Voltage(V)

Forward Drain Current vs Source-Drain Voltage

Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source

Voltage

Ta=25°C

VGS=0V

Tj=150°C

Tj=25°C

0.1

0.01

0.001

I_D=2A

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

4 6

Gate-Source Voltage(V)

V_SDSource Drain Voltage(V)

MTN4N65CJ3

CYStek Product Specification

1 2 345 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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