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MTB4D0N03ATV8

更新时间： 2022-02-26 14:11:08

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

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MTB4D0N03ATV8 数据手册

Spec. No. : C441V8

Issued Date : 2014.05.22

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 6/9

Typical Characteristics(Cont.)

Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient

(Note on page 2)

Typical Transfer Characteristics

140

100

VDS=10V

120

TJ(MAX)=150°C

TA=25°C

100

θJA=50°C/W

0.001

0.01

0.1

Pulse Width(s)

100

1000

VGS, Gate-Source Voltage(V)

Transient Thermal Response Curves

D=0.5

0.2

1.RθJA(t)=r(t)*RθJA

0.1

2.Duty Factor, D=t1/t2

3.TJM-TA=PDM*RθJA(t)

4.RθJA=50°C/W

0.05

0.02

0.01

Single Pulse

0.001

1.E-04

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

1.E+01

1.E+02

1.E+03

t1, Square Wave Pulse Duration(s)

MTB4D0N03ATV8

CYStek Product Specification

1...3 4 567 8 9

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