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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 25 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT600T | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
|
| MT605F-UR-A | MARKTECH |
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Standard LEDs |
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| MT60B1G16HC-48B | MICRON |
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MT60B4G4, MT60B2G8, MT60B1G16, MT60B4G4HB-52B |
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| MT60B1G16HC-52B | MICRON |
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MT60B4G4, MT60B2G8, MT60B1G16, MT60B4G4HB-52B |
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| MT60B1G16HC-56B | MICRON |
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MT60B4G4, MT60B2G8, MT60B1G16, MT60B4G4HB-52B |
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| MT60B1G16HT-48B AAT | MICRON |
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Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard |
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| MT60B2G8HB-48B | MICRON |
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MT60B4G4, MT60B2G8, MT60B1G16, MT60B4G4HB-52B |
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| MT60B2G8HB-52B | MICRON |
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MT60B4G4, MT60B2G8, MT60B1G16, MT60B4G4HB-52B |
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| MT60B2G8HB-56B | MICRON |
获取价格 |
MT60B4G4, MT60B2G8, MT60B1G16, MT60B4G4HB-52B |
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| MT60B2G8HS-48B AAT | MICRON |
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Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard |
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