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MT58L128L18PF-5IT

更新时间: 2024-02-09 04:34:51
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 460K
描述
Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

MT58L128L18PF-5IT 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:165
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.58
最长访问时间:3.5 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e0长度:15 mm
内存密度:2359296 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:165
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):220
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:13 mm
Base Number Matches:1

MT58L128L18PF-5IT 数据手册

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2Mb : 128K x 18, 64K x 32/36  
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM  
8000 S. Fe d e ra l Wa y, P.O. Bo x 6, Bo ise , ID 83707-0006, Te l: 208-368-3900  
E-m a il: p ro d m kt g @m icro n .co m , In t e rn e t : h t t p ://w w w .m icro n .co m , Cu st o m e r Co m m e n t Lin e : 800-932-4992  
Micron is a registered trademark and SyncBurst is a trademark of Micron Technology, Inc.  
Pentium is a registered trademark of Intel Corporation.  
2Mb:128Kx18, 64Kx32/36Pipelined, SCDSyncBurstSRAM  
MT58L128L18P_2.p65 Rev. 3/00  
MicronTechnology,Inc.,reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
©2000,MicronTechnology,Inc.  
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