5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MT4LC8M8P4DJ-5
MT4LC8M8P4DJ-5 PDF预览

MT4LC8M8P4DJ-5

更新时间： 2024-10-01 22:15:55
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 397K
描述
DRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

MT4LC8M8P4DJ-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.3访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0长度：20.98 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192座面最大高度：3.68 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.0005 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.21 mmBase Number Matches：1

MT4LC8M8P4DJ-5 数据手册

 浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第7页 
8 MEG x 8  
EDO DRAM  
MT4LC8M8P4, MT4LC8M8C2  
DRAM  
For the latest data sheet, please refer to the Micron Web  
site: www.micronsemi.com/mti/msp/html/datasheet.html  
FEATURES  
• Sin gle +3.3V ±0.3V power supply  
• In dustry-stan dard x8 pin out, tim in g, fun ction s,  
an d packages  
• 12 row, 11 colum n addresses (C2) or  
13 row, 10 colum n addresses (P4)  
• High -perform an ce CMOS silicon -gate process  
• All in puts, outputs an d clocks are LVTTL-  
com patible  
• Exten ded Data-Out (EDO) PAGE MODE access  
• 4,096-cycle CAS#-BEFORE-RAS# (CBR) REFRESH  
distributed across 64m s  
• Option al self refresh (S) for low-power data  
reten tion  
PIN ASSIGNMENT (To p Vie w )  
32-Pin SOJ  
32-Pin TSOP  
VCC  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
NC  
VCC  
WE#  
RAS#  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
VCC  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
VSS  
V
CC  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
VSS  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
VSS  
CAS#  
OE#  
NC/A12**  
A11  
A10  
A9  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
NC  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
Vss  
CAS#  
OE#  
NC/A12**  
A11  
A10  
A9  
VCC  
9
WE#  
RAS#  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A8  
A7  
A6  
VSS  
A8  
A7  
A6  
VSS  
OPTIONS  
MARKING  
• Refresh Addressin g  
4,096 (4K) rows  
8,192 (8K) rows  
VCC  
C2  
P4  
**NC on C2 version and A12 on P4 version  
• Plastic Packages  
32-pin SOJ (400 m il)  
32-pin TSOP (400 m il)  
DJ  
TG  
8 MEG x 8 EDO DRAM PART NUMBERS  
• Tim in g  
REFRESH  
50n s access  
60n s access  
-5  
-6  
PART NUMBER  
ADDRESSING PACKAGE REFRESH  
MT4LC8M8C2DJ-x  
MT4LC8M8C2DJ-x S  
MT4LC8M8C2TG-x  
MT4LC8M8C2TG-x S  
MT4LC8M8P4DJ-x  
MT4LC8M8P4DJ-x S  
MT4LC8M8P4TG-x  
MT4LC8M8P4TG-x S  
4K  
4K  
4K  
4K  
8K  
8K  
8K  
8K  
SOJ  
SOJ  
Standard  
Self  
• Refresh Rates  
TSOP  
TSOP  
SOJ  
Standard  
Self  
Stan dard Refresh (64m s period)  
Self Refresh (128m s period)  
Non e  
S*  
Standard  
Self  
NOTE: 1. Th e 8 Meg x 8 EDO DRAM base n um ber  
differen tiates th e offerin gs in on e place—  
MT4LC8M8C2. Th e fifth field distin guish es th e  
address offerin gs: C2 design ates 4K addresses an d  
P4 design ates 8K addresses.  
SOJ  
TSOP  
TSOP  
Standard  
Self  
x = speed  
2. Th e “#” sym bol in dicates sign al is active LOW.  
*Con tact factory for availability  
GENERAL DESCRIPTION  
Th e 8 Meg x 8 DRAM is a h igh -speed CMOS, dy-  
n am ic ran dom -access m em ory devices con tain in g  
67,108,864 bits an d design ed to operate from 3V to  
3.6V. Th e MT4LC8M8C2 an d MT4LC8M8P4 are fun c-  
tion ally organ ized as 8,388,608 location s con tain in g  
eigh t bits each . Th e 8,388,608 m em ory location s are  
arran ged in 4,096 rows by 2,048 colum n s on th e C2  
version an d 8,192 rows by 1,024 colum n s on th e P4  
version . Durin g READ or WRITE cycles, each location is  
Part Number Example:  
MT4LC8M8C2DJ-5  
KEY TIMING PARAMETERS  
t
t
t
t
t
t
SPEED  
RC  
RAC  
PC  
AA  
CAC  
CAS  
-5  
-6  
84ns  
50ns  
60ns  
20ns  
25ns  
25ns  
30ns  
13ns  
15ns  
8ns  
104ns  
10ns  
8 Meg x 8 EDO DRAM  
D20_2.p65 – Rev. 5/00  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2000, Micron Technology, Inc.  
1
1234567...22

中文翻译

下载PDF

与MT4LC8M8P4DJ-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MT4LC8M8P4DJ-6 MICRON

获取价格

 		DRAM
MT4LC8M8P4TG-5 MICRON

获取价格

 		DRAM
MT4LC8M8P4TG-6 MICRON

获取价格

 		DRAM
MT4LD164AG-52B ETC

获取价格

 		x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT4LD164AG-60B ETC

获取价格

 		x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT4LD164AG-7 ETC

获取价格

 		x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT4LD164AG-7X ETC

获取价格

 		x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT4LD164G-5B ETC

获取价格

 		x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT4LD164G-5BN ETC

获取价格

 		x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT4LD164G-6B ETC

获取价格

 		x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module

与MT4LC8M8P4DJ-5相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证