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MSM51V4400L-10TS-K

更新时间: 2024-01-07 01:34:53
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 623K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

MSM51V4400L-10TS-K 技术参数

生命周期:Active包装说明:TSOP, TSOP20/26,.36
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G20内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP20/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024反向引出线:YES
自我刷新:NO最大待机电流:0.00015 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.055 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MSM51V4400L-10TS-K 数据手册

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