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MSM51V64165-60TS-1K

更新时间: 2024-11-27 10:53:39
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 264K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50

MSM51V64165-60TS-1K 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.29
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH备用内存宽度:8
JESD-30 代码:R-PDSO-G50长度:20.95 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

MSM51V64165-60TS-1K 数据手册

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