Datasheet > MSM51V18165BSL-70TS-K

MSM51V18165BSL-70TS-K

更新时间： 2023-04-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	105K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44,

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MSM51V18165BSL-70TS-K 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP, TSOP44/50,.46,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL

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¡ Semiconductor

MSM51V18165B/BSL

E2G0087-17-41

MSM51V18165B/BSL

1,048,576-Word ¥ 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO

DESCRIPTION

TheMSM51V18165B/BSLisa1,048,576-word¥16-bitdynamicRAMfabricatedinOki'ssilicon-gate

CMOStechnology.TheMSM51V18165B/BSLachieveshighintegration,high-speedoperation,and

low-power consumption because Oki manufactures the device in a quadruple-layer polysilicon/

double-layer metal CMOS process. The MSM51V18165B/BSL is available in a 42-pin plastic SOJ or

50/44-pin plastic TSOP. The MSM51V18165BSL (the self-refresh version) is specially designed for

lower-power applications.

FEATURES

• 1,048,576-word ¥ 16-bit configuration

• Single 3.3 V power supply, ±0.3 V tolerance

• Input

: LVTTL compatible, low input capacitance

• Output : LVTTL compatible, 3-state

• Refresh : 1024 cycles/16 ms, 1024 cycles/128 ms (SL version)

• Fast page mode with EDO, read modify write capability

• CAS before RAS refresh, hidden refresh, RAS-only refresh capability

• CAS before RAS self-refresh capability (SL version)

• Package options:

42-pin 400 mil plastic SOJ

(SOJ42-P-400-1.27)

(Product : MSM51V18165B/BSL-xxJS)

50/44-pin 400 mil plastic TSOP

(TSOPII50/44-P-400-0.80-K) (Product : MSM51V18165B/BSL-xxTS-K)

xx indicates speed rank.

PRODUCT FAMILY

Access Time (Max.)

Cycle Time

(Min.)

Power Dissipation

Family

t_RACt_AAt_CACt_OEA

50 ns 25 ns 13 ns 13 ns

60 ns 30 ns 15 ns 15 ns

70 ns 35 ns 20 ns 20 ns

Standby (Max.)

Operating (Max.)

MSM51V18165B/BSL-50

MSM51V18165B/BSL-60

MSM51V18165B/BSL-70

84 ns

104 ns

124 ns

684 mW

576 mW

504 mW

1.8 mW/

0.72 mW (SL version)

409

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSM51V18165D	OKI	获取价格	1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM51V18165D-50JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V18165D-50TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
MSM51V18165D-60JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V18165D-70JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V18165DSL	OKI	获取价格	1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM51V18165DSL-50JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V18165DSL-50TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
MSM51V18165DSL-60JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V18165DSL-70JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42

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