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MSM51V4100-80SJ

更新时间: 2024-11-28 20:40:23
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 222K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

MSM51V4100-80SJ 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J20长度:17.15 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:3.65 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

MSM51V4100-80SJ 数据手册

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