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MRA4007T3 PDF预览

MRA4007T3

更新时间： 2024-01-28 04:02:23
品牌 Logo 应用领域
美丽微 - FORMOSA 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Chip Silicon Rectifier - Glass passivated type

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MRA4007T3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-J2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.6Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：Released2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/2381485.1.1.png
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=2381485PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=2381485
3D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=2381485Samacsys PartID：2381485
Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/MRA4007T3G.jpgSamacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MRA4007T3G.jpg
Samacsys Pin Count：2Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：Diodes MouldedSamacsys Footprint Name：SMA CASE 403D ISSUE H
Samacsys Released Date：2019-08-08 14:56:03Is Samacsys：N
应用：POWER配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.18 VJESD-30 代码：R-PDSO-J2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：10 µA
反向测试电压：1000 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：J BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MRA4007T3 数据手册

 浏览型号MRA4007T3的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Silicon Rectifier  
Formosa MS  
MRA4001T3 THRU MRA4007T3  
Glass passivated type  
Features  
SMA-L  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
FlammabilityClassification 94V-O Utilizing Flame  
RetardantEpoxy Molding Compound.  
0.205(5.2)  
0.189(4.8)  
0.012(0.3) Typ.  
For surface mounted applications.  
0.110(2.8)  
0.094(2.4)  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.181(4.6)  
0.165(4.2)  
Low leakage current.  
0.075(1.9)  
0.067(1.7)  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
Mechanical data  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Case : Molded plastic, JEDECDO-214AC  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Indicated by c athode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.0015 ounce, 0.05 gram  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.0  
UNIT  
A
Forward rectified current  
See Fig.2  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC methode)  
Forward surge current  
IFSM  
30  
A
o
VR = VRRM TA = 25 C  
5.0  
50  
uA  
uA  
Reverse current  
IR  
o
VR = VRRM TA = 100 C  
o
Thermal resistance  
Junction to ambient  
RqJA  
CJ  
50  
15  
C / w  
pF  
Diode junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage  
o
TSTG  
-55  
+150  
C
Operating  
*1  
*2  
*3  
*4  
MARKING  
VRRM  
VRMS  
VR  
VF  
temperature  
SYMBOLS  
CODE  
o
( C)  
(V)  
50  
(V)  
(V)  
(V)  
MRA4001T3  
MRA4002T3  
MRA4003T3  
MRA4004T3  
MRA4005T3  
MRA4006T3  
MRA4007T3  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
35  
70  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
140  
280  
420  
560  
700  
*1 Repetitive peak reverse voltage  
*2 RMS voltage  
1.1  
-55 to +150  
*3 Continuous reverse voltage  
*4 Maximum forward voltage  
12

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