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MPSA92M

更新时间： 2024-01-18 13:06:41
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友顺 - UTC 晶体晶体管高压
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2页 74K
描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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MPSA92M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.03
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

MPSA92M 数据手册

 浏览型号MPSA92M的Datasheet PDF文件第2页 
UTCMPSA92M PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FEATURES  
*Collector-Emitter voltage:  
VCEO=-300V  
*Collector Dissipation:  
Pc(max)=625mW  
*Low collector-Emitter saturation voltage  
1
APPLICATIONS  
*Telephone switching  
*High voltage switch  
TO-92  
1:EMITTER 2:BASE 3:COLLECTOR  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Operating temperature range applies unless otherwise specified )  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector dissipation(Ta=25°C)  
Collector current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Pc  
Ic  
Tj  
TSTG  
RATING  
-300  
-300  
-6  
625  
-800  
150  
-55 ~ +150  
UNIT  
V
V
V
mW  
mA  
°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tj=25°C,unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
BVCBO  
BVCEO  
BVCES  
BVEBO  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
Ic=-100µA,IE=0  
MIN TYP MAX UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
-300  
-300  
-300  
-5  
V
V
V
Ic=-1mA,IB=0  
Ic=-100µA,VBE=0  
IE=-100µA,Ic=0  
VCB=-300V,IE=0  
VCB=-300V,VBE=0  
VEB=-4V,Ic=0  
V
-100  
-1  
nA  
µA  
nA  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
ICES  
IEBO  
100  
DC current gain(note)  
hFE  
VCE=-10V,Ic=-1mA  
VCE=-10V,Ic=-10mA  
VCE=-10V,Ic=-100mA  
VCE=-10V,Ic=-200mA  
Ic=-30mA,IB=-1mA  
Ic=-100mA,IB=-10mA  
Ic=-10mA,IB=-1mA  
VCB=-20V,IE=0, f=1MHz  
60  
80  
80  
40  
300  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
-0.20  
-0.7  
-0.75  
8
V
Base-emitter saturation voltage  
Output capacitance  
VBE(sat)  
Cob  
V
pF  
Note:Pulse test:PW<300µs,Duty Cycle<2%  
1
UTC  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD  
QW-R201-020,A  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA92M_11 UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA92M_15 UTC

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA92M1 ETC

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MPSA92M1TA ZETEX

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