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MP7AN65E

更新时间： 2024-04-09 19:01:54

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华微电子 - JSMC		/
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13页	1720K
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MP7AN65E 数据手册

MP7AN65E

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项目

Parameter

符号

测试条件

最小典型最大单位

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

关态特性 Off –Characteristics

漏－源击穿电压

BV_DSS

I_D=250μA, V_GS=0V

650

Drain-Source Voltage

击穿电压温度特性

ΔBV_DSS

ΔT_J

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

I_D=250μA, referenced to 25℃

0.65

V/℃

V_DS=650V,V_GS=0V, T_C=25℃

V_DS=520V,V_GS=0V, T_C=125℃

μA

零栅压下漏极漏电流

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

100 μA

正向栅极体漏电流

I_GSSF

I_GSSR

V_DS=0V, V_GS=30V

V_DS=0V, V_GS=-30V

100 nA

Gate-body leakage current, forward

反向栅极体漏电流

-100 nA

Gate-body leakage current, reverse

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_fs

V_DS= V_GS, I_D=250μA

2.0

4.0

Ω

Gate Threshold Voltage

静态导通电阻

V_GS=10V , I_D=3.5A

1.0 1.25

5.6

Static Drain-Source On-Resistance

正向跨导

25℃

V_DS= 40V, I_D=7.0A（note 4） -

Forward Transconductance

动态特性 Dynamic Characteristics

栅极电阻

0.5 2.0 4.5

Ω

F=1.0MHZ open drain

Gate resistance

输入电容

C_iss

C_oss

C_rss

881 1800 pF

92 200 pF

Input capacitance

V_DS=25V,

V_GS=0V,

f=1.0MH_Z

输出电容

Output capacitance

反向传输电容

4.4 15

Reverse transfer capacitance

版本：202311A

3/13

1 234 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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