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MP3505W-BP

更新时间: 2024-10-01 13:11:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 311K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MP-50W, 4 PIN

MP3505W-BP 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-W4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.15Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:50 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-PSIP-W4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MP3505W-BP 数据手册

 浏览型号MP3505W-BP的Datasheet PDF文件第2页 
MP3505  
THRU  
M C C  
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MP3510  
Features  
35 Amp Single Phase  
Bridge Rectifier  
·
·
·
·
Mounting Hole For #8 Screw  
Plastic Case With Metal Bottom  
Any Mounting Position  
50 to 1000 Volts  
Surge Rating Of 400 Amps  
MP-50  
Maximum Ratings  
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
B
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
50V  
Maximum Maximum  
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
50V  
C
MP3505  
MP351  
MP352  
MP354  
MP356  
MP358  
MP3510  
MP3505  
MP351  
MP352  
MP354  
MP356  
MP358  
MP3510  
35V  
70V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000v  
100V  
E
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
200V  
400V  
600V  
800V  
G
+
AC  
1000v  
D
A
H
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
35.0A  
TC = 55°C  
-
AC  
Peak Forward Surge  
Current  
Maximum Forward  
Voltage Drop Per  
Element  
IFSM  
400A  
8.3ms, half sine  
J
VF  
1.1V  
IFM = 17.5A per  
element;  
A
TJ = 25°C  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
I2t Rating for Fusing  
t<8.3mS  
DIMENSIONS  
MM  
IR  
5mA  
500mA  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
INCHES  
MIN  
1.118  
.432  
.468  
.689  
.618  
.193  
.618  
.531  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
MAX  
1.130  
.442  
.558  
.728  
.657  
---  
MIN  
28.40  
10.97  
11.89  
17.50  
15.70  
4.90  
MAX  
28.70  
11.23  
14.17  
18.50  
16.70  
---  
NOTE  
I2t  
2
660  
A S  
Æ
Typical Themal  
Resistance Junction  
to case(per element)  
.657  
.571  
15.70  
13.50  
16.70  
14.50  
R jc  
3.0  
J
K/W  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%  
www.mccsemi.com  

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